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RUF025N02TL

RUF025N02TL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RUF025N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.43 EUR
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Technische Details RUF025N02TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RUF025N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.039 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote RUF025N02TL nach Preis ab 0.42 EUR bis 1.92 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RUF025N02TL RUF025N02TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RUF025N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
auf Bestellung 12930 Stücke:
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12+1.76 EUR
20+1.11 EUR
100+0.71 EUR
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RUF025N02TL RUF025N02TL ROHM datasheet?p=RUF025N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUF025N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.039 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2894 Stücke:
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138+1.81 EUR
203+1.14 EUR
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500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
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RUF025N02TL RUF025N02TL ROHM Semiconductor datasheet?p=RUF025N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 2A
auf Bestellung 17468 Stücke:
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2+1.92 EUR
10+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.43 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RUF025N02TL datasheet?p=RUF025N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
auf Bestellung 3000 Stücke:
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RUF025N02TL datasheet?p=RUF025N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUF025N02TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
auf Bestellung 12930 Stücke:
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RUF025N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.039 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 2A
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RUF025N02TL datasheet?p=RUF025N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
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