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RUQ050N02HZGTR

RUQ050N02HZGTR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RUQ050N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.61 EUR
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Technische Details RUQ050N02HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Weitere Produktangebote RUQ050N02HZGTR nach Preis ab 0.55 EUR bis 2.38 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RUQ050N02HZGTR RUQ050N02HZGTR ROHM Semiconductor datasheet?p=RUQ050N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 20V Drive 5A Nch MOSFET
auf Bestellung 3558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.21 EUR
100+0.89 EUR
500+0.76 EUR
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3000+0.61 EUR
6000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RUQ050N02HZGTR RUQ050N02HZGTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RUQ050N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 3947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.92 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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RUQ050N02HZGTR RUQ050N02HZGTR ROHM ruq050n02hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RUQ050N02HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.38 EUR
144+1.62 EUR
206+1.04 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RUQ050N02HZGTR RUQ050N02HZGTR ROHM datasheet?p=RUQ050N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUQ050N02HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.38 EUR
142+1.63 EUR
207+1.04 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.64 EUR
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RUQ050N02HZGTR
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 20V Drive 5A Nch MOSFET
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.21 EUR
100+0.89 EUR
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RUQ050N02HZGTR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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RUQ050N02HZGTR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RUQ050N02HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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RUQ050N02HZGTR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RUQ050N02HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+2.38 EUR
142+1.63 EUR
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