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RV3C002UNT2CL

RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RV3C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: VML0604
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8000+0.19 EUR
56000+0.18 EUR
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Technische Details RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 100mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 100mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN0603, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.

Weitere Produktangebote RV3C002UNT2CL nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor rv3c002unt2cl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
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RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor rv3c002unt2cl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
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RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor rv3c002unt2cl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
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608+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
2500+0.25 EUR
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RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL ROHM Semiconductor datasheet?p=RV3C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch
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RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor datasheet?p=RV3C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: VML0604
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
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RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL ROHM rv3c002unt2cl-e.pdf Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0603
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 2496 Stücke:
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174+1.44 EUR
282+0.82 EUR
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RV3C002UNT2CL RV3C002UNT2CL ROHM rv3c002unt2cl-e.pdf Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0603
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.15A 3-Pin VML T/R
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MOSFETs 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch
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Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
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Supplier Device Package: VML0604
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 150mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0603
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
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Description: ROHM - RV3C002UNT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, DFN0603, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 150mA
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN0603
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
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