RV4L016SNHZGTCR1 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 2.03 EUR |
| 17+ | 1.27 EUR |
| 100+ | 0.83 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
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Technische Details RV4L016SNHZGTCR1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV4L016SNHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.305 ohm, DFN1616-6W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1616-6W, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm.
Weitere Produktangebote RV4L016SNHZGTCR1 nach Preis ab 0.75 EUR bis 4.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RV4L016SNHZGTCR1 | ROHM |
 Description: ROHM - RV4L016SNHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.305 ohm, DFN1616-6W, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1616-6W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RV4L016SNHZGTCR1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RV4L016SNHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.305 ohm, DFN1616-6W, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DFN1616-6W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
Description: ROHM - RV4L016SNHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.305 ohm, DFN1616-6W, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DFN1616-6W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 61+ | 4.15 EUR |
| 142+ | 1.64 EUR |
| 211+ | 1.02 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |