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RV8C010UNHZGG2CR

RV8C010UNHZGG2CR ROHM Semiconductor

datasheet?p=RV8C010UNHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Superior Mounting Reliability, DFN1010, Nch 20V 1A, Small Signal MOSFET for Automotive.
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Technische Details RV8C010UNHZGG2CR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DFN1010, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RV8C010UNHZGG2CR nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RV8C010UNHZGG2CR RV8C010UNHZGG2CR ROHM rv8c010unhzgg2cr-e.pdf Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.48 EUR
236+0.99 EUR
339+0.63 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.36 EUR
5000+0.31 EUR
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RV8C010UNHZGG2CR RV8C010UNHZGG2CR ROHM rv8c010unhzgg2cr-e.pdf Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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5000+0.31 EUR
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RV8C010UNHZGG2CR RV8C010UNHZGG2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=RV8C010UNHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1010-3W
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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13+1.71 EUR
20+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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RV8C010UNHZGG2CR rv8c010unhzgg2cr-e.pdf
RV8C010UNHZGG2CR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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RV8C010UNHZGG2CR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1010-3W
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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