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RW4E075AJTCL1

RW4E075AJTCL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RW4E075AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.89 EUR
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Technische Details RW4E075AJTCL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RW4E075AJTCL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0185 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: DFN1616, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0185ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RW4E075AJTCL1 nach Preis ab 0.8 EUR bis 2.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RW4E075AJTCL1 RW4E075AJTCL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RW4E075AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
auf Bestellung 11517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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12+1.77 EUR
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RW4E075AJTCL1 RW4E075AJTCL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RW4E075AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs DFN1616 N CHAN 30V
auf Bestellung 5495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.57 EUR
100+1.19 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.88 EUR
6000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RW4E075AJTCL1 RW4E075AJTCL1 ROHM rw4e075ajtcl-e.pdf Description: ROHM - RW4E075AJTCL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0185 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.75 EUR
135+1.73 EUR
177+1.21 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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RW4E075AJTCL1 RW4E075AJTCL1 ROHM rw4e075ajtcl-e.pdf Description: ROHM - RW4E075AJTCL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0185 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0185ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.75 EUR
135+1.73 EUR
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RW4E075AJTCL1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
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MOSFETs DFN1616 N CHAN 30V
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RW4E075AJTCL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RW4E075AJTCL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0185 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 1.5W
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Anzahl der Pins: 7Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Description: ROHM - RW4E075AJTCL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0185 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0185ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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