RX2G10BBGC7G ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs RX2G10BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.
MOSFETs RX2G10BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.
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Technische Details RX2G10BBGC7G ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RX2G10BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 105 A, 1470 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RX2G10BBGC7G nach Preis ab 5.7 EUR bis 5.7 EUR
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RX2G10BBGC7G | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - RX2G10BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 105 A, 1470 µohm, TO-220FM, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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| RX2G10BBGC7G | Hersteller : Rohm Semiconductor | RX2G10BBGC7G |
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