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RX2L07BBGC7G ROHM Semiconductor


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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 80A, TO-220FP, Power MOSFET
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Technische Details RX2L07BBGC7G ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RX2L07BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 4600 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 52W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RX2L07BBGC7G RX2L07BBGC7G Rohm Semiconductor rx2l07bbgc7g-e.pdf Description: NCH 60V 80A, TO-220FP, POWER MOS
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30+3.58 EUR
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RX2L07BBGC7G RX2L07BBGC7G ROHM rx2l07bbgc7g-e.pdf Description: ROHM - RX2L07BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 4600 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 80A, TO-220FP, POWER MOS
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Description: ROHM - RX2L07BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 4600 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
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