RX2L07BBGC7G ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 80A, TO-220FP, Power MOSFET
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.12 EUR |
| 10+ | 3.33 EUR |
| 100+ | 2.25 EUR |
| 500+ | 1.88 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
| 3000+ | 1.69 EUR |
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Technische Details RX2L07BBGC7G ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RX2L07BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 4600 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RX2L07BBGC7G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RX2L07BBGC7G | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - RX2L07BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 4600 µohm, TO-220FM, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 973 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |