Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RX3G07BBGC16
RX3G07BBGC16

RX3G07BBGC16 Rohm Semiconductor

rx3g07bbgc16-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+4.25 EUR
50+4.02 EUR
100+3.81 EUR
250+3.61 EUR
500+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RX3G07BBGC16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX3G07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 89W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.

Weitere Produktangebote RX3G07BBGC16 nach Preis ab 3.24 EUR bis 8.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RX3G07BBGC16 RX3G07BBGC16 Rohm Semiconductor rx3g07bbgc16-e.pdf Description: NCH 40V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.97 EUR
50+5.52 EUR
100+4.74 EUR
500+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX3G07BBGC16 RX3G07BBGC16 Rohm Semiconductor rx3g07bbgc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.38 EUR
24+7.08 EUR
50+4.78 EUR
100+4.26 EUR
500+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX3G07BBGC16 RX3G07BBGC16 ROHM Semiconductor rx3g07bbgc16-e.pdf MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.57 EUR
10+4.41 EUR
100+4.02 EUR
500+3.72 EUR
1000+3.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX3G07BBGC16 RX3G07BBGC16 ROHM rx3g07bbgc16-e.pdf Description: ROHM - RX3G07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.7 EUR
45+5.27 EUR
100+3.49 EUR
500+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX3G07BBGC16 rx3g07bbgc16-e.pdf
RX3G07BBGC16
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.97 EUR
50+5.52 EUR
100+4.74 EUR
500+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX3G07BBGC16 rx3g07bbgc16-e.pdf
RX3G07BBGC16
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+8.38 EUR
24+7.08 EUR
50+4.78 EUR
100+4.26 EUR
500+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX3G07BBGC16 rx3g07bbgc16-e.pdf
RX3G07BBGC16
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.57 EUR
10+4.41 EUR
100+4.02 EUR
500+3.72 EUR
1000+3.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RX3G07BBGC16 rx3g07bbgc16-e.pdf
RX3G07BBGC16
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RX3G07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+8.7 EUR
45+5.27 EUR
100+3.49 EUR
500+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH