RX3N10BBHC16 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 80V 225A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 40 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 12.7 EUR |
| 50+ | 6.82 EUR |
| 100+ | 6.25 EUR |
| 500+ | 5.26 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RX3N10BBHC16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RX3N10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 225 A, 2200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 225A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 189W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.
Weitere Produktangebote RX3N10BBHC16 nach Preis ab 6.14 EUR bis 16.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RX3N10BBHC16 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 N-CH 80V 225A |
auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
RX3N10BBHC16 | ROHM |
Description: ROHM - RX3N10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 225 A, 2200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 189W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| RX3N10BBHC16 |
|
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO220 N-CH 80V 225A
MOSFETs TO220 N-CH 80V 225A
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.83 EUR |
| 10+ | 7.44 EUR |
| 100+ | 6.83 EUR |
| 500+ | 6.14 EUR |
| RX3N10BBHC16 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RX3N10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 225 A, 2200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Description: ROHM - RX3N10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 225 A, 2200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 16.52 EUR |
| 24+ | 10.02 EUR |
| 100+ | 6.99 EUR |