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RX3P12BATC16

RX3P12BATC16 Rohm Semiconductor

rx3p12batc16-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details RX3P12BATC16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX3P12BATC16 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0123 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 201W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote RX3P12BATC16 nach Preis ab 6.62 EUR bis 15.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RX3P12BATC16 RX3P12BATC16 ROHM Semiconductor datasheet?p=RX3P12BAT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -120A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
auf Bestellung 529 Stücke:
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1+11.91 EUR
10+8.57 EUR
100+7.79 EUR
500+7.1 EUR
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RX3P12BATC16 RX3P12BATC16 ROHM rx3p12batc16-e.pdf Description: ROHM - RX3P12BATC16 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0123 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: To Be Advised
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18+14.32 EUR
25+9.56 EUR
100+8.03 EUR
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RX3P12BATC16 RX3P12BATC16 Rohm Semiconductor datasheet?p=RX3P12BAT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: PCH -100V -120A POWER MOSFET: RX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 385 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16600 pF @ 50 V
auf Bestellung 238 Stücke:
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2+14.96 EUR
50+8.08 EUR
100+7.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RX3P12BATC16 RX3P12BATC16 Rohm Semiconductor rx3p12batc16-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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12+15.09 EUR
13+13.35 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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RX3P12BATC16
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RX3P12BATC16 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0123 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: To Be Advised
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Description: PCH -100V -120A POWER MOSFET: RX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 385 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16600 pF @ 50 V
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50+8.08 EUR
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12+15.09 EUR
13+13.35 EUR
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