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RYC002N05T316 Транзистор

Produktcode: 222493
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Transistoren > MOSFET N-CH

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RYC002N05T316 RYC002N05T316 Rohm Semiconductor datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RYC002N05T316 RYC002N05T316 Rohm Semiconductor ryc002n05t316-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
946+0.18 EUR
2500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 946 Stücke
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RYC002N05T316 RYC002N05T316 Rohm Semiconductor ryc002n05t316-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
959+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 959 Stücke
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RYC002N05T316 RYC002N05T316 Rohm Semiconductor ryc002n05t316-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 4160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
477+0.36 EUR
701+0.24 EUR
914+0.18 EUR
1032+0.15 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 477 Stücke
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RYC002N05T316 RYC002N05T316 Rohm Semiconductor ryc002n05t316-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 4160 Stücke:
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477+0.36 EUR
701+0.24 EUR
914+0.18 EUR
1032+0.15 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 477 Stücke
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RYC002N05T316 RYC002N05T316 Rohm Semiconductor datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: SST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 19969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
44+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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RYC002N05T316 RYC002N05T316 ROHM Semiconductor datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 0.9V Drive Nch Si MOSFET
auf Bestellung 20616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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RYC002N05T316 RYC002N05T316 ROHM ryc002n05t316-e.pdf Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
auf Bestellung 2583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.94 EUR
461+0.5 EUR
730+0.3 EUR
971+0.23 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
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RYC002N05T316 RYC002N05T316 ROHM ryc002n05t316-e.pdf Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
auf Bestellung 2583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.94 EUR
461+0.5 EUR
730+0.3 EUR
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Mindestbestellmenge: 266 Stücke
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RYC002N05T316 datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RYC002N05T316 datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RYC002N05T316
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
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RYC002N05T316 ryc002n05t316-e.pdf
RYC002N05T316
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
946+0.18 EUR
2500+0.17 EUR
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RYC002N05T316 ryc002n05t316-e.pdf
RYC002N05T316
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
959+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 959 Stücke
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RYC002N05T316 ryc002n05t316-e.pdf
RYC002N05T316
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 4160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
477+0.36 EUR
701+0.24 EUR
914+0.18 EUR
1032+0.15 EUR
3000+0.11 EUR
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RYC002N05T316 ryc002n05t316-e.pdf
RYC002N05T316
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 4160 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
477+0.36 EUR
701+0.24 EUR
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RYC002N05T316 datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RYC002N05T316
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: SST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 19969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+0.8 EUR
44+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
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RYC002N05T316 datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RYC002N05T316
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 0.9V Drive Nch Si MOSFET
auf Bestellung 20616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.94 EUR
10+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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RYC002N05T316 ryc002n05t316-e.pdf
RYC002N05T316
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
auf Bestellung 2583 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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461+0.5 EUR
730+0.3 EUR
971+0.23 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
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RYC002N05T316 ryc002n05t316-e.pdf
RYC002N05T316
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 50V
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Dauer-Drainstrom Id: 200mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
auf Bestellung 2583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
266+0.94 EUR
461+0.5 EUR
730+0.3 EUR
971+0.23 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RYC002N05T316 datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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