Suchergebnisse für "s 25 a/380 v" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
S07J-GS18 S07J-GS18 VISHAY s07b.pdf Description: VISHAY - S07J-GS18 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.1 V, 1800 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1800ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 117120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S07J-GS18 S07J-GS18 VISHAY s07b.pdf Description: VISHAY - S07J-GS18 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.1 V, 1800 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1800ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 117120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBR2510 SBR2510 MULTICOMP PRO Description: MULTICOMP PRO - SBR2510 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 1 kV, 25 A, Modul, 5 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 375A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: SBR25
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SDF-V25-213L011 SDF-V25-213L011 NORCOMP SDF-SYY-203LYYY.pdf Description: NORCOMP - SDF-V25-213L011 - D-Sub-Steckverbinder, IP67, Standard, Buchse, NANOOK Series, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85366990
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Hauchvergoldete Kontakte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Messing
Ausführung: Buchse
Steckverbindermontage: Panelmontage, Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Standard
Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e)
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: NANOOK Series
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP25N60EFL-GE3 SIHP25N60EFL-GE3 VISHAY sihp25n60efl.pdf Description: VISHAY - SIHP25N60EFL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA26DN-T1-GE3 SISA26DN-T1-GE3 VISHAY sisa26dn.pdf Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.00215 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA26DN-T1-GE3 SISA26DN-T1-GE3 VISHAY sisa26dn.pdf Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.00215 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIT8103AI-23-33E-25.00000X SIT8103AI-23-33E-25.00000X SITIME SiT8103-datasheet.pdf Description: SITIME - SIT8103AI-23-33E-25.00000X - MEMS-Oszillator, 25 MHz, SMD, 3.2mm x 2.5mm, 50 ppm, 3.3 V, SiT8103, LVCMOS / LVTTL
tariffCode: 85437090
Kompatibler Oszillatorausgang: LVCMOS / LVTTL
rohsCompliant: YES
Nennfrequenz: 25MHz
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Frequenzstabilität + / -: 50ppm
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Produktpalette: SiT8103
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Oszillatorgehäuse: SMD, 3.2mm x 2.5mm
SVHC: Bis(a,a-dimethylbenzyl) peroxide (27-Jun-2024)
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIT8103AI-23-33E-25.00000X SIT8103AI-23-33E-25.00000X SITIME SiT8103-datasheet.pdf Description: SITIME - SIT8103AI-23-33E-25.00000X - MEMS-Oszillator, 25 MHz, SMD, 3.2mm x 2.5mm, 50 ppm, 3.3 V, SiT8103, LVCMOS / LVTTL
tariffCode: 85437090
Kompatibler Oszillatorausgang: LVCMOS / LVTTL
rohsCompliant: YES
Nennfrequenz: 25MHz
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Frequenzstabilität + / -: 50ppm
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Produktpalette: SiT8103
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Oszillatorgehäuse: SMD, 3.2mm x 2.5mm
SVHC: Bis(a,a-dimethylbenzyl) peroxide (27-Jun-2024)
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1G SMMBFJ310LT1G ONSEMI mmbfj309lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SMMBFJ310LT1G - HF-FET-Transistor, 25 V, 225 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1G SMMBFJ310LT1G ONSEMI mmbfj309lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SMMBFJ310LT1G - HF-FET-Transistor, 25 V, 225 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMT2508GW SMT2508GW MULTICOMP PRO Description: MULTICOMP PRO - SMT2508GW - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 800 V, 25 A, Modul, 5 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMT2512GW SMT2512GW MULTICOMP PRO Description: MULTICOMP PRO - SMT2512GW - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 1.2 kV, 25 A, Modul, 5 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH1R06RL STTH1R06RL STMICROELECTRONICS en.CD00005135.pdf description Description: STMICROELECTRONICS - STTH1R06RL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 25 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SV6025N2TP SV6025N2TP LITTELFUSE Description: LITTELFUSE - SV6025N2TP - Thyristor, 600 V, 10 mA, 16 A, 25 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 300A
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 16A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 25A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SVxx25xx Series
Zündstrom, max.: 10mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Bauform - Thyristor: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SV6025N2TP SV6025N2TP LITTELFUSE Description: LITTELFUSE - SV6025N2TP - Thyristor, 600 V, 10 mA, 16 A, 25 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 300A
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 16A
RMS-Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SVxx25xx Series
Zündstrom, max.: 10mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Bauform - Thyristor: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SZMMBZ18VALT1G SZMMBZ18VALT1G ONSEMI mmbz5v6alt1-d.pdf Description: ONSEMI - SZMMBZ18VALT1G - TVS-Diode, SZMMBZxxxALT1G, Unidirektional, 14.5 V, 25 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.1V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 18.9V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 14.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZMMBZxxxALT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 25V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 89425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SZMMBZ18VALT1G SZMMBZ18VALT1G ONSEMI mmbz5v6alt1-d.pdf Description: ONSEMI - SZMMBZ18VALT1G - TVS-Diode, SZMMBZxxxALT1G, Unidirektional, 14.5 V, 25 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.1V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 18.9V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 14.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZMMBZxxxALT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 25V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 89425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BY-2400-05-10 SMA-M
+2
 		BY-2400-05-10 SMA-M
Produktcode: 114321
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Beyondoor BY-2400-05-10-datasheet.pdf Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Antennen
Standard: 2.4 ГГц
Performance-Option: зовнішня
Beschreibung: Антена WiFi. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 10dBi. Довжина: 380mm
Koeffizient. Verstärkung: 10 dBi
Kabel und Stecker: SMA
WiFi
2400...2500 МГц
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 20 Stück
20 Stück - erwartet 12.09.2025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AD9230BCPZ-250 AD9230BCPZ-250 ANALOG DEVICES AD9230.pdf Description: ANALOG DEVICES - AD9230BCPZ-250 - Analog/Digital-Wandler, 12 bit, 250 MS/s, Differenz, asymmetrisch, Seriell, SPI, Einfach, 1.7 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Datenschnittstelle: Seriell, SPI
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abtastrate: 250MS/s
Bauform - ADC / DAC: LFCSP-VQ-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.c.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Versorgungsspannung: Einfach
Eingangskanaltyp: Differenz, asymmetrisch
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: Single 12-Bit Pipelined ADCs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.9V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Auflösung (Bit): 12bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AD9467BCPZ-250 AD9467BCPZ-250 ANALOG DEVICES AD9467.pdf Description: ANALOG DEVICES - AD9467BCPZ-250 - Analog/Digital-Wandler, 16 bit, 250 MS/s, Differenz, Seriell, SPI, Einfach, 1.7 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Datenschnittstelle: Seriell, SPI
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abtastrate: 250MS/s
Bauform - ADC / DAC: LFCSP-VQ-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A001.a.5.a.5
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Versorgungsspannung: Einfach
Eingangskanaltyp: Differenz
euEccn: 3A001.a.5.a.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 72Pin(s)
Produktpalette: Single 16-Bit Pipelined ADCs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Auflösung (Bit): 16bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ADUM1280BRZ-RL7 ADUM1280BRZ-RL7 ANALOG DEVICES ADuM1280_1281_1285_1286.pdf Description: ANALOG DEVICES - ADUM1280BRZ-RL7 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 3.135 V, 5.5 V, NSOIC, 8 Pin(s), 25 Mbps
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: Magnetisch
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: CMOS
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3kV
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 35ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 25Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: NSOIC
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ADUM1280BRZ-RL7 ADUM1280BRZ-RL7 ANALOG DEVICES ADuM1280_1281_1285_1286.pdf Description: ANALOG DEVICES - ADUM1280BRZ-RL7 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 3.135 V, 5.5 V, NSOIC, 8 Pin(s), 25 Mbps
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: Magnetisch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: CMOS
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3kV
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 25Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ADUM5212BRSZ ADUM5212BRSZ ANALOG DEVICES ADuM5210_5211_5212.pdf Description: ANALOG DEVICES - ADUM5212BRSZ - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 3.135 V, 5.5 V, SSOP, 20 Pin(s), 25 Mbps
tariffCode: 85437090
rohsCompliant: YES
Isolation: Magnetisch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: CMOS
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 2.5kV
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 25Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ADUM5401WCRWZ-1 ADUM5401WCRWZ-1 ANALOG DEVICES ADuM5401W_5402W_5403W.pdf Description: ANALOG DEVICES - ADUM5401WCRWZ-1 - Digitaler Isolator, 4 Kanäle, 3 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 25 Mbps
tariffCode: 85437090
rohsCompliant: YES
Isolation: Magnetisch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: CMOS
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 2.5kV
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 25Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR1FMHM3/H AR1FMHM3/H VISHAY ar1fd_ar1fg_ar1fj_ar1fk_ar1f.pdf Description: VISHAY - AR1FMHM3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.6 V, 120 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 120ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR1FMHM3/H AR1FMHM3/H VISHAY ar1fd_ar1fg_ar1fj_ar1fk_ar1f.pdf Description: VISHAY - AR1FMHM3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.6 V, 120 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 120ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC818-40LT1G BC818-40LT1G ONSEMI bc818-40lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 132837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC818-40LT1G BC818-40LT1G ONSEMI bc818-40lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 132837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1 BSC004NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC004NE2LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172b72be9124a3e Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 400µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1 BSC004NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC004NE2LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172b72be9124a3e Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 INFINEON BSC009NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332d040720132dd4232240e1d Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 31368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 INFINEON BSC009NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332d040720132dd4232240e1d Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 31368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSIATMA1 BSC018NE2LSIATMA1 INFINEON BSC018NE2LSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b8abf971c2 Description: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSIATMA1 BSC018NE2LSIATMA1 INFINEON BSC018NE2LSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b8abf971c2 Description: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ010NE2LS5ATMA1 BSZ010NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1 Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ010NE2LS5ATMA1 BSZ010NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1 Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 INFINEON BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869 Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 INFINEON BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869 Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA26-600BRG BTA26-600BRG STMICROELECTRONICS bta26.pdf description Description: STMICROELECTRONICS - BTA26-600BRG - Triac, 600 V, 25 A, TOP-3, 1.5 V, 250 A, 80 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TOP-3
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 80mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 250A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 24284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX NEXPERIA BUK9M20-40H.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M20-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0158 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M20-40HX BUK9M20-40HX NEXPERIA BUK9M20-40H.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M20-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0158 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS25-0025B DSS25-0025B IXYS SEMICONDUCTOR Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSS25-0025B-Datasheet?assetguid=d3fbf01c-afc3-46b8-b33f-bd25e642ed3e Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DSS25-0025B - Schottky-Gleichrichterdiode, 25 V, 25 A, Einfach, TO-220AC, 2 Pin(s), 520 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 520mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: DSS25
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 23861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N FDC6303N ONSEMI fdc6303n-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 121521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N FDC6303N ONSEMI fdc6303n-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 121521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
H04X25V0BU H04X25V0BU MULTICOMP PRO H04X25V0BU%20Rev-0.pdf Description: MULTICOMP PRO - H04X25V0BU - ESD-Schutzbaustein, 25 V, DFN1006, 2 Pin(s), 5 V, 100 W, Multicomp Pro ESD Protection Diode
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro ESD Protection Diode
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
H04X25V0BU H04X25V0BU MULTICOMP PRO H04X25V0BU%20Rev-0.pdf Description: MULTICOMP PRO - H04X25V0BU - ESD-Schutzbaustein, 25 V, DFN1006, 2 Pin(s), 5 V, 100 W, Multicomp Pro ESD Protection Diode
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro ESD Protection Diode
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R090CFD7XKSA1 IPP65R090CFD7XKSA1 INFINEON Infineon-IPP65R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef5665e49f0 Description: INFINEON - IPP65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 INFINEON Infineon-IQE006NE2LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b08cb821aa4 Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5ATMA1 IQE006NE2LM5ATMA1 INFINEON Infineon-IQE006NE2LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b08cb821aa4 Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5CGATMA1 IQE006NE2LM5CGATMA1 INFINEON Infineon-IQE006NE2LM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b11f53c1aa7 Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5CGATMA1 IQE006NE2LM5CGATMA1 INFINEON Infineon-IQE006NE2LM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b11f53c1aa7 Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF INFINEON irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51 Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF INFINEON irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51 Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5250DTRPBF IRFH5250DTRPBF INFINEON IRSD-S-A0001030640-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.001 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5250DTRPBF IRFH5250DTRPBF INFINEON IRSD-S-A0001030640-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.001 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LJ6008V8TP LJ6008V8TP LITTELFUSE Description: LITTELFUSE - LJ6008V8TP - Triac, 600 V, 8 A, TO-251, 1.3 V, 70 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-251
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 70A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LJxx08xx Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM258AYDT LM258AYDT STMICROELECTRONICS en.CD00000464.pdf Description: STMICROELECTRONICS - LM258AYDT - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1.1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 30V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.1MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 20nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S07J-GS18 s07b.pdf
S07J-GS18
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - S07J-GS18 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.1 V, 1800 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1800ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 117120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S07J-GS18 s07b.pdf
S07J-GS18
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - S07J-GS18 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.1 V, 1800 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1800ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: eSMP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 117120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBR2510
SBR2510
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - SBR2510 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 1 kV, 25 A, Modul, 5 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 375A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: SBR25
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SDF-V25-213L011 SDF-SYY-203LYYY.pdf
SDF-V25-213L011
Hersteller: NORCOMP
Description: NORCOMP - SDF-V25-213L011 - D-Sub-Steckverbinder, IP67, Standard, Buchse, NANOOK Series, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85366990
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Hauchvergoldete Kontakte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Messing
Ausführung: Buchse
Steckverbindermontage: Panelmontage, Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Standard
Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e)
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: NANOOK Series
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP25N60EFL-GE3 sihp25n60efl.pdf
SIHP25N60EFL-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP25N60EFL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA26DN-T1-GE3 sisa26dn.pdf
SISA26DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.00215 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISA26DN-T1-GE3 sisa26dn.pdf
SISA26DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.00215 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4083 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIT8103AI-23-33E-25.00000X SiT8103-datasheet.pdf
SIT8103AI-23-33E-25.00000X
Hersteller: SITIME
Description: SITIME - SIT8103AI-23-33E-25.00000X - MEMS-Oszillator, 25 MHz, SMD, 3.2mm x 2.5mm, 50 ppm, 3.3 V, SiT8103, LVCMOS / LVTTL
tariffCode: 85437090
Kompatibler Oszillatorausgang: LVCMOS / LVTTL
rohsCompliant: YES
Nennfrequenz: 25MHz
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Frequenzstabilität + / -: 50ppm
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Produktpalette: SiT8103
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Oszillatorgehäuse: SMD, 3.2mm x 2.5mm
SVHC: Bis(a,a-dimethylbenzyl) peroxide (27-Jun-2024)
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIT8103AI-23-33E-25.00000X SiT8103-datasheet.pdf
SIT8103AI-23-33E-25.00000X
Hersteller: SITIME
Description: SITIME - SIT8103AI-23-33E-25.00000X - MEMS-Oszillator, 25 MHz, SMD, 3.2mm x 2.5mm, 50 ppm, 3.3 V, SiT8103, LVCMOS / LVTTL
tariffCode: 85437090
Kompatibler Oszillatorausgang: LVCMOS / LVTTL
rohsCompliant: YES
Nennfrequenz: 25MHz
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Frequenzstabilität + / -: 50ppm
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Produktpalette: SiT8103
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Oszillatorgehäuse: SMD, 3.2mm x 2.5mm
SVHC: Bis(a,a-dimethylbenzyl) peroxide (27-Jun-2024)
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1G mmbfj309lt1-d.pdf
SMMBFJ310LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBFJ310LT1G - HF-FET-Transistor, 25 V, 225 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1G mmbfj309lt1-d.pdf
SMMBFJ310LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBFJ310LT1G - HF-FET-Transistor, 25 V, 225 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMT2508GW
SMT2508GW
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - SMT2508GW - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 800 V, 25 A, Modul, 5 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMT2512GW
SMT2512GW
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - SMT2512GW - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 1.2 kV, 25 A, Modul, 5 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH1R06RL description en.CD00005135.pdf
STTH1R06RL
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STTH1R06RL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 25 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SV6025N2TP
SV6025N2TP
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - SV6025N2TP - Thyristor, 600 V, 10 mA, 16 A, 25 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 300A
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 16A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 25A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SVxx25xx Series
Zündstrom, max.: 10mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Bauform - Thyristor: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SV6025N2TP
SV6025N2TP
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - SV6025N2TP - Thyristor, 600 V, 10 mA, 16 A, 25 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 300A
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 16A
RMS-Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SVxx25xx Series
Zündstrom, max.: 10mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Bauform - Thyristor: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SZMMBZ18VALT1G mmbz5v6alt1-d.pdf
SZMMBZ18VALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMBZ18VALT1G - TVS-Diode, SZMMBZxxxALT1G, Unidirektional, 14.5 V, 25 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.1V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 18.9V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 14.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZMMBZxxxALT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 25V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 89425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SZMMBZ18VALT1G mmbz5v6alt1-d.pdf
SZMMBZ18VALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMBZ18VALT1G - TVS-Diode, SZMMBZxxxALT1G, Unidirektional, 14.5 V, 25 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.1V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 18.9V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 14.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZMMBZxxxALT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 25V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 89425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BY-2400-05-10 SMA-M
Produktcode: 114321
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

BY-2400-05-10-datasheet.pdf
BY-2400-05-10 SMA-M
+2
Hersteller: Beyondoor
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Antennen
Standard: 2.4 ГГц
Performance-Option: зовнішня
Beschreibung: Антена WiFi. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 10dBi. Довжина: 380mm
Koeffizient. Verstärkung: 10 dBi
Kabel und Stecker: SMA
WiFi
2400...2500 МГц
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 20 Stück
20 Stück - erwartet 12.09.2025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AD9230BCPZ-250 AD9230.pdf
AD9230BCPZ-250
Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - AD9230BCPZ-250 - Analog/Digital-Wandler, 12 bit, 250 MS/s, Differenz, asymmetrisch, Seriell, SPI, Einfach, 1.7 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Datenschnittstelle: Seriell, SPI
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abtastrate: 250MS/s
Bauform - ADC / DAC: LFCSP-VQ-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.c.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Versorgungsspannung: Einfach
Eingangskanaltyp: Differenz, asymmetrisch
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: Single 12-Bit Pipelined ADCs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.9V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Auflösung (Bit): 12bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AD9467BCPZ-250 AD9467.pdf
AD9467BCPZ-250
Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - AD9467BCPZ-250 - Analog/Digital-Wandler, 16 bit, 250 MS/s, Differenz, Seriell, SPI, Einfach, 1.7 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Datenschnittstelle: Seriell, SPI
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abtastrate: 250MS/s
Bauform - ADC / DAC: LFCSP-VQ-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A001.a.5.a.5
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Versorgungsspannung: Einfach
Eingangskanaltyp: Differenz
euEccn: 3A001.a.5.a.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 72Pin(s)
Produktpalette: Single 16-Bit Pipelined ADCs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Auflösung (Bit): 16bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ADUM1280BRZ-RL7 ADuM1280_1281_1285_1286.pdf
ADUM1280BRZ-RL7
Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - ADUM1280BRZ-RL7 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 3.135 V, 5.5 V, NSOIC, 8 Pin(s), 25 Mbps
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: Magnetisch
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: CMOS
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3kV
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 35ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 25Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: NSOIC
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ADUM1280BRZ-RL7 ADuM1280_1281_1285_1286.pdf
ADUM1280BRZ-RL7
Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - ADUM1280BRZ-RL7 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 3.135 V, 5.5 V, NSOIC, 8 Pin(s), 25 Mbps
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: Magnetisch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: CMOS
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3kV
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 25Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ADUM5212BRSZ ADuM5210_5211_5212.pdf
ADUM5212BRSZ
Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - ADUM5212BRSZ - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 3.135 V, 5.5 V, SSOP, 20 Pin(s), 25 Mbps
tariffCode: 85437090
rohsCompliant: YES
Isolation: Magnetisch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: CMOS
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 2.5kV
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 25Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ADUM5401WCRWZ-1 ADuM5401W_5402W_5403W.pdf
ADUM5401WCRWZ-1
Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - ADUM5401WCRWZ-1 - Digitaler Isolator, 4 Kanäle, 3 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 25 Mbps
tariffCode: 85437090
rohsCompliant: YES
Isolation: Magnetisch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: CMOS
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 2.5kV
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 25Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR1FMHM3/H ar1fd_ar1fg_ar1fj_ar1fk_ar1f.pdf
AR1FMHM3/H
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - AR1FMHM3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.6 V, 120 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 120ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AR1FMHM3/H ar1fd_ar1fg_ar1fj_ar1fk_ar1f.pdf
AR1FMHM3/H
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - AR1FMHM3/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.6 V, 120 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB (SMF)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 120ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC818-40LT1G bc818-40lt1-d.pdf
BC818-40LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 132837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC818-40LT1G bc818-40lt1-d.pdf
BC818-40LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC818-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 132837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1 Infineon-BSC004NE2LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172b72be9124a3e
BSC004NE2LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 400µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC004NE2LS5ATMA1 Infineon-BSC004NE2LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172b72be9124a3e
BSC004NE2LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC004NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 479 A, 0.0004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 479A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332d040720132dd4232240e1d
BSC009NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 31368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332d040720132dd4232240e1d
BSC009NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 31368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSIATMA1 BSC018NE2LSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b8abf971c2
BSC018NE2LSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018NE2LSIATMA1 BSC018NE2LSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b8abf971c2
BSC018NE2LSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ010NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1
BSZ010NE2LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ010NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1
BSZ010NE2LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa
BSZ031NE2LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ031NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f17a9bb6a75fa
BSZ031NE2LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869
BSZ036NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869
BSZ036NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTA26-600BRG description bta26.pdf
BTA26-600BRG
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BTA26-600BRG - Triac, 600 V, 25 A, TOP-3, 1.5 V, 250 A, 80 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TOP-3
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 80mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 250A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 24284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M20-40HX BUK9M20-40H.pdf
BUK9M20-40HX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M20-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0158 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9M20-40HX BUK9M20-40H.pdf
BUK9M20-40HX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M20-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0158 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSS25-0025B Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSS25-0025B-Datasheet?assetguid=d3fbf01c-afc3-46b8-b33f-bd25e642ed3e
DSS25-0025B
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DSS25-0025B - Schottky-Gleichrichterdiode, 25 V, 25 A, Einfach, TO-220AC, 2 Pin(s), 520 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 520mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: DSS25
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 23861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N fdc6303n-d.pdf
FDC6303N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 121521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6303N fdc6303n-d.pdf
FDC6303N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 121521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
H04X25V0BU H04X25V0BU%20Rev-0.pdf
H04X25V0BU
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - H04X25V0BU - ESD-Schutzbaustein, 25 V, DFN1006, 2 Pin(s), 5 V, 100 W, Multicomp Pro ESD Protection Diode
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro ESD Protection Diode
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
H04X25V0BU H04X25V0BU%20Rev-0.pdf
H04X25V0BU
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - H04X25V0BU - ESD-Schutzbaustein, 25 V, DFN1006, 2 Pin(s), 5 V, 100 W, Multicomp Pro ESD Protection Diode
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro ESD Protection Diode
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP65R090CFD7XKSA1 Infineon-IPP65R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef5665e49f0
IPP65R090CFD7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5ATMA1 Infineon-IQE006NE2LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b08cb821aa4
IQE006NE2LM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5ATMA1 Infineon-IQE006NE2LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b08cb821aa4
IQE006NE2LM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5CGATMA1 Infineon-IQE006NE2LM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b11f53c1aa7
IQE006NE2LM5CGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5CGATMA1 Infineon-IQE006NE2LM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b11f53c1aa7
IQE006NE2LM5CGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51
IRF6645TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51
IRF6645TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5250DTRPBF IRSD-S-A0001030640-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFH5250DTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.001 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH5250DTRPBF IRSD-S-A0001030640-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFH5250DTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5250DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.001 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LJ6008V8TP
LJ6008V8TP
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - LJ6008V8TP - Triac, 600 V, 8 A, TO-251, 1.3 V, 70 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-251
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 70A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LJxx08xx Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM258AYDT en.CD00000464.pdf
LM258AYDT
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - LM258AYDT - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 1.1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 30V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.1MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 20nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]