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Technische Details S07B-GS08 Vishay
Description: VISHAY - S07B-GS08 - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 700 mA, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 25 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB, Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 1.8µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: S07B, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote S07B-GS08 nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.77 EUR
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S07B-GS08 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 Rectifiers 0.7 Amp 100 Volt 1.8uS |
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S07B-GS08 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - S07B-GS08 - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 700 mA, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 25 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S07B productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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| S07B-GS08 | Hersteller : VISHAY |
S07B-GS08 SMD universal diodes |
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S07B-GS08 Produktcode: 132451
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Lieblingsprodukt
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden |
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S07B-GS08 | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 100V 1.5A 1800ns Automotive 2-Pin SMF T/R |
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S07B-GS08 | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 100V 1.5A Automotive 2-Pin SMF T/R |
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S07B-GS08 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GP 100V 700MA DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 700mA Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
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S07B-GS08 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GP 100V 700MA DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 700mA Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
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