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S1B-E3/5AT

S1B-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details S1B-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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S1B-E3/5AT S1B-E3/5AT Vishay s1.pdf Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R
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S1B-E3/5AT S1B-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
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S1B-E3/5AT S1B-E3/5AT Vishay General Semiconductor s1.pdf Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt 40A IFSM @ 8.3ms
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
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Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
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Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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