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S1JLSH

S1JLSH Taiwan Semiconductor Corporation

pdf.php?pn=S1JLSH Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
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Technische Details S1JLSH Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123H, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1.2A, Supplier Device Package: SOD-123HE, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.

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S1JLSH S1JLSH Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=S1JLSH Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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