S1KHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1800+ | 0.19 EUR |
| 3600+ | 0.17 EUR |
| 9000+ | 0.14 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details S1KHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - S1KHM3_A/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 1.8µs, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 800V, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote S1KHM3_A/H nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S1KHM3_A/H | VISHAY |
Description: VISHAY - S1KHM3_A/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 26670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
S1KHM3_A/H | VISHAY |
Description: VISHAY - S1KHM3_A/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 26670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
S1KHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| S1KHM3_A/H |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - S1KHM3_A/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - S1KHM3_A/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 26670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.46 EUR |
| 747+ | 0.29 EUR |
| 1017+ | 0.21 EUR |
| 1149+ | 0.19 EUR |
| 5000+ | 0.15 EUR |
| S1KHM3_A/H |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - S1KHM3_A/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - S1KHM3_A/H - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 26670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 353+ | 0.71 EUR |
| 496+ | 0.46 EUR |
| 747+ | 0.29 EUR |
| 1017+ | 0.21 EUR |
| 1149+ | 0.19 EUR |
| 5000+ | 0.15 EUR |
| S1KHM3_A/H |
|
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 0.75 EUR |
| 40+ | 0.54 EUR |
| 100+ | 0.27 EUR |
| 500+ | 0.24 EUR |