S1M1000170D SMC DIODE SOLUTIONS


S1M1000170D%20N2837%20REV.-.pdf
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 15A; 81W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 81W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Technische Details S1M1000170D SMC DIODE SOLUTIONS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 15A; 81W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.7kV, Drain current: 3.7A, Pulsed drain current: 15A, Power dissipation: 81W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 1.9Ω, Mounting: THT, Gate charge: 10nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S1M1000170D S1M1000170D SMC Diode Solutions S1M1000170D%20N2837%20REV.-.pdf Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V
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