S1M1000170D SMC DIODE SOLUTIONS
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 15A; 81W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 1.9Ω
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 81W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhancement
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 4.27 EUR |
| 29+ | 2.98 EUR |
| 31+ | 2.8 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details S1M1000170D SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 15A; 81W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Drain-source voltage: 1.7kV, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -5...20V, Kind of package: tube, On-state resistance: 1.9Ω, Pulsed drain current: 15A, Power dissipation: 81W, Gate charge: 10nC, Polarisation: unipolar, Technology: SiC, Drain current: 3.7A, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote S1M1000170D
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
S1M1000170D | SMC Diode Solutions |
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| S1M1000170D |
![]() |
Hersteller: SMC Diode Solutions
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


