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S1PM-M3/84A

S1PM-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

s1pb.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO220AA
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details S1PM-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO220AA, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-220AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-220AA (SMP), Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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S1PM-M3/84A S1PM-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1pb.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO220AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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