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S25FL256LAGNFI010

S25FL256LAGNFI010 Infineon Technologies

_mb_32_mb_fl-l_flash_spi_multi-i_o_3-datasheet-v13_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 256M-bit 256M/128M/64M x 1/2-bit/4-bit 8ns 8-Pin WSON EP Tray
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Technische Details S25FL256LAGNFI010 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S25FL256LAGNFI010 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, tariffCode: 85423261, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Serial-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: -, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: 133MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: QPI, SPI, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S25FL256LAGNFI010 S25FL256LAGNFI010 Infineon Technologies _mb_32_mb_fl-l_flash_spi_multi-i_o_3-datasheet-v13_00-en.pdf NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 256M-bit 256M/128M/64M x 1/2-bit/4-bit 8ns 8-Pin WSON EP Tray
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S25FL256LAGNFI010 S25FL256LAGNFI010 Infineon Technologies eon-S25FL128L_S25FL256L_128_Mb_16_MB_256_Mb_32_MB_FL-L_flash_SPI_multi-I_O_3-DataSheet-v13_00-EN.pdf NOR Flash NOR
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S25FL256LAGNFI010 S25FL256LAGNFI010 Infineon Technologies INFN-S-A0017271261-1.pdf Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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S25FL256LAGNFI010 S25FL256LAGNFI010 INFINEON INFN-S-A0020850331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL256LAGNFI010 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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S25FL256LAGNFI010 S25FL256LAGNFI010 Infineon Technologies 8-mb_(16-mb)_3.0_v_fl-l_flash_memory-datasheet-v10_00-en.pdf NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 256M-bit 256M/128M/64M x 1/2-bit/4-bit 8ns 8-Pin WSON EP Tray
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S25FL256LAGNFI010 S25FL256LAGNFI010 SPANSION PEF25fl256lagnfi010_0001.pdf NOR Flash Serial-SPI; 3V/3.3V; 256M-bit; 256M/128M/64M x 1/2-bit/4-bit; 8ns; -40°C~85°C; S25FL256LAGNFI010 PEF25fl256lagnfi010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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NOR Flash NOR
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Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Tray
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
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Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 32M x 8
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256LAGNFI010 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP
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IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 256Mbit
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usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
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Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
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S25FL256LAGNFI010 8-mb_(16-mb)_3.0_v_fl-l_flash_memory-datasheet-v10_00-en.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 256M-bit 256M/128M/64M x 1/2-bit/4-bit 8ns 8-Pin WSON EP Tray
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NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 256M-bit 256M/128M/64M x 1/2-bit/4-bit 8ns 8-Pin WSON EP Tray
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NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 256M-bit 256M/128M/64M x 1/2-bit/4-bit 8ns 8-Pin WSON EP Tray
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S25FL256LAGNFI010
Hersteller: SPANSION
NOR Flash Serial-SPI; 3V/3.3V; 256M-bit; 256M/128M/64M x 1/2-bit/4-bit; 8ns; -40°C~85°C; S25FL256LAGNFI010 PEF25fl256lagnfi010
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