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S25HL512TDPNHI010

S25HL512TDPNHI010 Infineon Technologies

12ts25hl01gt512mb1gbsempertmflashquadspidatasheetv7000en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 9ns 8-Pin WSON EP Tray
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Technische Details S25HL512TDPNHI010 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S25HL512TDPNHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s), tariffCode: 85423261, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Serial-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: -, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: 133MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: QPI, SPI, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S25HL512TDPNHI010 S25HL512TDPNHI010 Infineon Technologies 12ts25hl01gt512mb1gbsempertmflashquadspidatasheetv7000en.pdf NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 9ns 8-Pin WSON EP Tray
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S25HL512TDPNHI010 S25HL512TDPNHI010 Infineon Technologies 12ts25hl01gt512mb1gbsempertmflashquadspidatasheetv7000en.pdf NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 9ns 8-Pin WSON EP Tray
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S25HL512TDPNHI010 S25HL512TDPNHI010 Infineon Technologies 5HL256T_S25HL512T_S25HL01GT_256_Mb_512_Mb_1_Gb_SEMPER_Flash_Quad_SPI_1_8_V_3_DataSheet_v70_00_EN.pdf NOR Flash SEMPER
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S25HL512TDPNHI010 S25HL512TDPNHI010 INFINEON INFN-S-A0014638040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25HL512TDPNHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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S25HL512TDPNHI010
Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 9ns 8-Pin WSON EP Tray
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Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 9ns 8-Pin WSON EP Tray
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NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 9ns 8-Pin WSON EP Tray
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S25HL512TDPNHI010
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25HL512TDPNHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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