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S27KL0641DABHI020

S27KL0641DABHI020 Infineon Technologies

v64mb8mb128mb16mbhyperramselfrefreshdramdatasheetv1500en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray
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Technische Details S27KL0641DABHI020 Infineon Technologies

Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHI020 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, HyperBus-Schnittstelle, FBGA-24, DRAM-Ausführung: HyperRAM, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, DRAM-Dichte: 64, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 36, Versorgungsspannung, nom.: 3, IC-Schnittstelle: HyperBus, Betriebstemperatur, min.: -40, Taktfrequenz: 100, Anzahl der Pins: 24, Produktpalette: S27KL, Betriebstemperatur, max.: 85, Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S27KL0641DABHI020 S27KL0641DABHI020 Infineon Technologies v64mb8mb128mb16mbhyperramselfrefreshdramdatasheetv1500en.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray
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S27KL0641DABHI020 S27KL0641DABHI020 CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES 2280498.pdf Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHI020 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, HyperBus-Schnittstelle, FBGA-24
DRAM-Ausführung: HyperRAM
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
DRAM-Dichte: 64
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 36
Versorgungsspannung, nom.: 3
IC-Schnittstelle: HyperBus
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 100
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: S27KL
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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S27KL0641DABHI020 Infineon Technologies CYPR_S_A0011122227_1-2541245.pdf DRAM HyperRAM 3.0-V 64Mb
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1+9.62 EUR
10+8.71 EUR
25+8.52 EUR
100+7.6 EUR
250+7.58 EUR
500+7.31 EUR
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S27KL0641DABHI020
Hersteller: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray
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S27KL0641DABHI020
Hersteller: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHI020 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, HyperBus-Schnittstelle, FBGA-24
DRAM-Ausführung: HyperRAM
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
DRAM-Dichte: 64
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
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Versorgungsspannung, nom.: 3
IC-Schnittstelle: HyperBus
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 100
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: S27KL
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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DRAM HyperRAM 3.0-V 64Mb
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