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S27KL0641DABHI020

S27KL0641DABHI020 Infineon Technologies

Infineon-S27KL0641_S27KS0641_S70KL1281_S70KS1281_3.0_V_1.8_V_64_Mb_(8_MB)_128_Mb_(16_MB)_HyperRAM_Self-Refresh_DRAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed18c684db5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_ca Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 64MBIT PAR 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 40 ns
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.23 EUR
10+6.74 EUR
25+6.54 EUR
40+6.44 EUR
80+6.29 EUR
230+6.06 EUR
676+5.82 EUR
1352+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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Technische Details S27KL0641DABHI020 Infineon Technologies

Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHI020 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, HyperBus-Schnittstelle, FBGA-24, DRAM-Ausführung: HyperRAM, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, DRAM-Dichte: 64, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 36, Versorgungsspannung, nom.: 3, IC-Schnittstelle: HyperBus, Betriebstemperatur, min.: -40, Taktfrequenz: 100, Anzahl der Pins: 24, Produktpalette: S27KL, Betriebstemperatur, max.: 85, Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Weitere Produktangebote S27KL0641DABHI020 nach Preis ab 5.83 EUR bis 8.08 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
S27KL0641DABHI020 S27KL0641DABHI020 Hersteller : CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES 2280498.pdf Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHI020 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, HyperBus-Schnittstelle, FBGA-24
DRAM-Ausführung: HyperRAM
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
DRAM-Dichte: 64
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 36
Versorgungsspannung, nom.: 3
IC-Schnittstelle: HyperBus
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 100
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: S27KL
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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S27KL0641DABHI020 Hersteller : Infineon Technologies CYPR_S_A0011122227_1-2541245.pdf DRAM HyperRAM 3.0-V 64Mb
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.08 EUR
10+7.32 EUR
25+7.16 EUR
100+6.39 EUR
250+6.37 EUR
500+6.14 EUR
676+5.83 EUR
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S27KL0641DABHI020 S27KL0641DABHI020 Hersteller : Infineon Technologies _v_64_mb_8_mb_128_mb_16_mb_hyperram_tm_self-refresh_dram.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray
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S27KL0641DABHI020 S27KL0641DABHI020 Hersteller : Infineon Technologies _v_64_mb_8_mb_128_mb_16_mb_hyperram_tm_self-refresh_dram.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray
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S27KL0641DABHI020 S27KL0641DABHI020 Hersteller : Infineon Technologies 1.8_v_64_mb_8_mb_128_mb_16_mb_hyperram_self-refresh_dram.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray
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