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S27KL0641DABHI023

S27KL0641DABHI023 Infineon Technologies

v64mb8mb128mb16mbhyperramselfrefreshdramdatasheetv1500en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA T/R
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Technische Details S27KL0641DABHI023 Infineon Technologies

Description: IC PSRAM 64MBIT PAR 24FBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 24-VBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 64Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Clock Frequency: 100 MHz, Memory Format: PSRAM, Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8), Memory Interface: Parallel, Access Time: 40 ns, Memory Organization: 8M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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S27KL0641DABHI023 S27KL0641DABHI023 Hersteller : Infineon Technologies _v_64_mb_8_mb_128_mb_16_mb_hyperram_tm_self-refresh_dram.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA T/R
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S27KL0641DABHI023 S27KL0641DABHI023 Hersteller : Infineon Technologies _v_64_mb_8_mb_128_mb_16_mb_hyperram_tm_self-refresh_dram.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA T/R
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S27KL0641DABHI023 S27KL0641DABHI023 Hersteller : Infineon Technologies v64mb8mb128mb16mbhyperramselfrefreshdramdatasheetv1500en.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA T/R
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S27KL0641DABHI023 S27KL0641DABHI023 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-S27KL0641_S27KS0641_S70KL1281_S70KS1281_3.0_V_1.8_V_64_Mb_(8_MB)_128_Mb_(16_MB)_HyperRAM_Self-Refresh_DRAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed18c684db5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_ca Description: IC PSRAM 64MBIT PAR 24FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 40 ns
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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S27KL0641DABHI023 Hersteller : Infineon / Cypress CYPR_S_A0011122227_1-3004854.pdf DRAM HyperRAM 3.0-V 64Mb
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