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S27KL0641DABHI023 Infineon Technologies

Name: S27KL0641DABHI023
Brand: Infineon Technologies
SKU: 39303932-5
Price: 549.36 EUR
Availability: InStock

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Hersteller: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA T/R

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Technische Details S27KL0641DABHI023 Infineon Technologies

Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHI023 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, HyperBus-Schnittstelle, FBGA-24, DRAM-Ausführung: HyperRAM, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, DRAM-Dichte: 64, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 36, Versorgungsspannung, nom.: 3, IC-Schnittstelle: HyperBus, Betriebstemperatur, min.: -40, Taktfrequenz: 100, Anzahl der Pins: 24, Produktpalette: S27KL, Betriebstemperatur, max.: 85, Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
S27KL0641DABHI023	Cypress Semiconductor	DRAM 64M PARALLEL FBGA-24 Мікросхеми пам'яті	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S27KL0641DABHI023	Infineon Technologies	Description: IC PSRAM 64MBIT PAR 24FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Memory Interface: Parallel Access Time: 40 ns Memory Organization: 8M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S27KL0641DABHI023	Infineon / Cypress	DRAM HyperRAM 3.0-V 64Mb	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S27KL0641DABHI023	CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES	Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHI023 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, HyperBus-Schnittstelle, FBGA-24 DRAM-Ausführung: HyperRAM Bauform - Speicherbaustein: FBGA DRAM-Dichte: 64 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 36 Versorgungsspannung, nom.: 3 IC-Schnittstelle: HyperBus Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 100 Anzahl der Pins: 24 Produktpalette: S27KL Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S27KL0641DABHI023	Infineon Technologies	DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA T/R	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S27KL0641DABHI023

Infineon-S27KL0641_S27KS0641_S70KL1281_S70KS1281_3.0_V_1.8_V_64_Mb_(8_MB)_128_Mb_(16_MB)_HyperRAM_Self-Refresh_DRAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed18c684db5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_ca

Hersteller: Cypress Semiconductor
DRAM 64M PARALLEL FBGA-24 Мікросхеми пам'яті

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S27KL0641DABHI023

Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 64MBIT PAR 24FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 40 ns
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified

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S27KL0641DABHI023

Hersteller: Infineon / Cypress
DRAM HyperRAM 3.0-V 64Mb

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S27KL0641DABHI023

Hersteller: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHI023 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, HyperBus-Schnittstelle, FBGA-24
DRAM-Ausführung: HyperRAM
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
DRAM-Dichte: 64
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 36
Versorgungsspannung, nom.: 3
IC-Schnittstelle: HyperBus
Betriebstemperatur, min.: -40
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Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: S27KL
Betriebstemperatur, max.: 85
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SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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S27KL0641DABHI023

Hersteller: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA T/R

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