S27KL0641DABHV020 Infineon Technologies
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Technische Details S27KL0641DABHV020 Infineon Technologies
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHV020 - DRAM, HyperRAM, PSRAM, 64MB, 8M x 8 Bit, 100MHz, FBGA, 24 Pins, DRAM-Ausführung: HyperRAM, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, DRAM-Dichte: 64, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 36, Versorgungsspannung, nom.: 3, IC-Schnittstelle: HyperBus, Betriebstemperatur, min.: -40, Taktfrequenz: 100, Anzahl der Pins: 24, Produktpalette: S27KL, Betriebstemperatur, max.: 105, Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote S27KL0641DABHV020 nach Preis ab 5.13 EUR bis 5.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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S27KL0641DABHV020 | Hersteller : Infineon Technologies |
 DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray |
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S27KL0641DABHV020 | Hersteller : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray |
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S27KL0641DABHV020 | Hersteller : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray |
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S27KL0641DABHV020 | Hersteller : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA Tray |
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S27KL0641DABHV020 | Hersteller : CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES |
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KL0641DABHV020 - DRAM, HyperRAM, PSRAM, 64MB, 8M x 8 Bit, 100MHz, FBGA, 24 Pins DRAM-Ausführung: HyperRAM Bauform - Speicherbaustein: FBGA DRAM-Dichte: 64 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 36 Versorgungsspannung, nom.: 3 IC-Schnittstelle: HyperBus Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 100 Anzahl der Pins: 24 Produktpalette: S27KL Betriebstemperatur, max.: 105 Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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S27KL0641DABHV020 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC PSRAM 64MBIT PAR 24FBGA Packaging: Tray Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 100 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Part Status: Obsolete Memory Interface: Parallel Access Time: 40 ns Memory Organization: 8M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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| S27KL0641DABHV020 | Hersteller : Cypress Semiconductor |
DRAM HyperRAM 3.0-V 64Mb |
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