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S27KS0641DPBHB020

S27KS0641DPBHB020 Cypress Semiconductor Corp

Infineon-S27KL0641_S27KS0641_S70KL1281_S70KS1281_3.0_V_1.8_V_64_Mb_(8_MB)_128_Mb_(16_MB)_HyperRAM_Self-Refresh_DRAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed18c684db5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_ca Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Description: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 24FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Grade: Automotive
Memory Interface: Parallel
Access Time: 40 ns
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
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Technische Details S27KS0641DPBHB020 Cypress Semiconductor Corp

Description: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 24FBGA, Packaging: Bulk, Package / Case: 24-VBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 64Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: PSRAM, Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8), Grade: Automotive, Memory Interface: Parallel, Access Time: 40 ns, Memory Organization: 8M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified, Qualification: AEC-Q100.

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S27KS0641DPBHB020 S27KS0641DPBHB020 Hersteller : Cypress Semiconductor _v_64_mb_8_mb_128_mb_16_mb_hyperram_tm_self-refresh_dram.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Automotive AEC-Q100
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S27KS0641DPBHB020 S27KS0641DPBHB020 Hersteller : Infineon Technologies v64mb8mb128mb16mbhyperramselfrefreshdramdatasheetv1500en.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Automotive AEC-Q100
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S27KS0641DPBHB020 Hersteller : Infineon Technologies CYPR_S_A0011122227_1-3004854.pdf DRAM Nor
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