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Technische Details S27KS0641DPBHI020 Infineon Technologies
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, parallele Schnittstelle, FBGA-24, DRAM-Ausführung: HyperRAM, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, DRAM-Dichte: 64, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 36, Versorgungsspannung, nom.: 1.8, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40, Taktfrequenz: 166, Anzahl der Pins: 24, Produktpalette: S27KS, Betriebstemperatur, max.: 85, Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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S27KS0641DPBHI020 | Hersteller : CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES |
 Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, parallele Schnittstelle, FBGA-24DRAM-Ausführung: HyperRAM Bauform - Speicherbaustein: FBGA DRAM-Dichte: 64 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 36 Versorgungsspannung, nom.: 1.8 IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 166 Anzahl der Pins: 24 Produktpalette: S27KS Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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S27KS0641DPBHI020 | Hersteller : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
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S27KS0641DPBHI020 | Hersteller : Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray |
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S27KS0641DPBHI020 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 24FBGA Packaging: Tray Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Part Status: Obsolete Memory Interface: Parallel Access Time: 40 ns Memory Organization: 8M x 8 |
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