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S27KS0641DPBHI020

S27KS0641DPBHI020 Infineon Technologies

v64mb8mb128mb16mbhyperramselfrefreshdramdatasheetv1500en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
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Technische Details S27KS0641DPBHI020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, parallele Schnittstelle, FBGA-24, tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 64Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 166MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S27KS0641DPBHI020 S27KS0641DPBHI020 Infineon Technologies v64mb8mb128mb16mbhyperramselfrefreshdramdatasheetv1500en.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
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S27KS0641DPBHI020 S27KS0641DPBHI020 Infineon Technologies v64mb8mb128mb16mbhyperramselfrefreshdramdatasheetv1500en.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
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S27KS0641DPBHI020 S27KS0641DPBHI020 Infineon Technologies v64mb8mb128mb16mbhyperramselfrefreshdramdatasheetv1500en.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
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S27KS0641DPBHI020 S27KS0641DPBHI020 Infineon Technologies v64mb8mb128mb16mbhyperramselfrefreshdramdatasheetv1500en.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
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S27KS0641DPBHI020 S27KS0641DPBHI020 INFINEON CYPR-S-A0013765243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, parallele Schnittstelle, FBGA-24
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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S27KS0641DPBHI020 S27KS0641DPBHI020 Infineon Technologies CYPR_S_A0011122227_1-2541245.pdf DRAM HyperRAM 1.8-V 64Mb
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Hersteller: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
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DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
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S27KS0641DPBHI020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S27KS0641DPBHI020 - DRAM, 8M x 8 Bit, 36ns, parallele Schnittstelle, FBGA-24
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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