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S27KS0642GABHI020

S27KS0642GABHI020 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
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Technische Details S27KS0642GABHI020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S27KS0642GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423219, DRAM-Ausführung: HyperRAM, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 64Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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S27KS0642GABHI020 S27KS0642GABHI020 INFINEON INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S27KS0642GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
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S27KS0642GABHI020 S27KS0642GABHI020 Infineon Technologies fineon-S27KL0642_S27KS0642_3.0_V_1.8_V_64_Mb_8_MB_HyperRAM_Self-Refresh_DRAM-DataSheet-v01_00-JA.pdf DRAM SPCM
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S27KS0642GABHI020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S27KS0642GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
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IC-Montage: Oberflächenmontage
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IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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