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S27KS0642GABHV020

S27KS0642GABHV020 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
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Technische Details S27KS0642GABHV020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S27KS0642GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423219, DRAM-Ausführung: HyperRAM, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 64Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S27KS0642GABHV020 S27KS0642GABHV020 Infineon Technologies download.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
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S27KS0642GABHV020 S27KS0642GABHV020 Infineon Technologies infineon-s27kl0642-s27ks0642-3.0-v-1.8-v-64-mb-8-mb-hyperram-self-refresh-dram-datasheet-cn.pdf Description: IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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S27KS0642GABHV020 S27KS0642GABHV020 INFINEON INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S27KS0642GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
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S27KS0642GABHV020
Hersteller: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 1.8V 24-Pin Fortified BGA Tray
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DRAM SPCM
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Description: IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
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Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
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Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S27KS0642GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423219
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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9+30.96 EUR
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