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S29AL016J70BFI010

S29AL016J70BFI010 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16M-bit 2M x 8/1M x 16 70ns 48-Pin FBGA Tray
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Technische Details S29AL016J70BFI010 Infineon Technologies

Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - S29AL016J70BFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 16 Mbit, 2M x 8 Bit, CFI, parallel, FBGA, 48 Pin(s), Bauform - Speicherbaustein: FBGA, Flash-Speicher: Parallel-NOR, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 70, IC-Schnittstelle: CFI, parallel, Betriebstemperatur, min.: -40, Versorgungsspannung, min.: 2.7, Taktfrequenz: -, Speicherkonfiguration Flash: 2M x 8 Bit, Anzahl der Pins: 48, Speichergröße: 16, Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, Versorgungsspannung, max.: 3.6, Betriebstemperatur, max.: 85, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Weitere Produktangebote S29AL016J70BFI010 nach Preis ab 3.37 EUR bis 5.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S29AL016J70BFI010 S29AL016J70BFI010 Infineon Technologies download.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16M-bit 2M x 8/1M x 16 70ns 48-Pin FBGA Tray
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S29AL016J70BFI010 S29AL016J70BFI010 Infineon Technologies Infineon_S29AL016J_16_MBIT__2M_X_8_BIT_1M_X_16_BIT__3_V_BOOT_SECTOR_FLASH_DataSheet_v18_00_EN.pdf NOR Flash 16Mb 3V 70ns Parallel NOR Flash
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S29AL016J70BFI010 S29AL016J70BFI010 Infineon Technologies Infineon-S29AL016J_16_MBIT_(2M_X_8_BIT_1M_X_16_BIT)_3_V_BOOT_SECTOR_FLASH-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed709c05803 Description: IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-FBGA (8.15x6.15)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 16Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Package / Case: 48-VFBGA
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Technology: FLASH - NOR
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Mounting Type: Surface Mount
Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16
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