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S29GL01GS10DHI010

S29GL01GS10DHI010 Cypress / Spansion

CYPR_S_A0011119701_1-2541239.pdf
Hersteller: Cypress / Spansion
NOR Flash 1G 3V 100ns Parallel NOR Flash
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Technische Details S29GL01GS10DHI010 Cypress / Spansion

Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 64-LBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Gbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 60ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 64M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S29GL01GS10DHI010 S29GL01GS10DHI010 Infineon Technologies L256S_S29GL128S_128_Mb_256_Mb_512_Mb_1_Gb_GL_S_MIRRORBIT_TM_Flash_Parallel_3_DataSheet_v21_00_EN.pdf NOR Flash 1G 3V 100ns Parallel NOR Flash
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S29GL01GS10DHI010 S29GL01GS10DHI010 Infineon Technologies infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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NOR Flash 1G 3V 100ns Parallel NOR Flash
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Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
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Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
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Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 16
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