S29GL01GS10FHI010 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Verified
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 36.21 EUR |
| 10+ | 33.58 EUR |
| 25+ | 32.52 EUR |
| 50+ | 31.74 EUR |
| 180+ | 30.29 EUR |
| 360+ | 29.52 EUR |
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Technische Details S29GL01GS10FHI010 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GS10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 100ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, MSL: -, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 64Pin(s), Speichergröße: 1Gbit, Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit.
Weitere Produktangebote S29GL01GS10FHI010 nach Preis ab 27.23 EUR bis 43.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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S29GL01GS10FHI010 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GS10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 100ns, FBGA-64 tariffCode: 85423275 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: - Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Speichergröße: 1Gbit Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit |
auf Bestellung 327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S29GL01GS10FHI010 | Infineon Technologies |
NOR Flash PNOR |
auf Bestellung 725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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S29GL01GS10FHI010 | Cypress Semiconductor |
NOR Flash Nor |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| S29GL01GS10FHI010 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GS10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 100ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Speichergröße: 1Gbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
Description: INFINEON - S29GL01GS10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 100ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Speichergröße: 1Gbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 37.1 EUR |
| 10+ | 31.98 EUR |
| 25+ | 28.6 EUR |
| 50+ | 27.91 EUR |
| 100+ | 27.23 EUR |
| S29GL01GS10FHI010 |
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Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash PNOR
NOR Flash PNOR
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 43.98 EUR |
| 10+ | 41.5 EUR |
| 25+ | 40.27 EUR |
| 50+ | 39.29 EUR |
| 100+ | 38.09 EUR |
| 250+ | 37.04 EUR |
| 360+ | 35.25 EUR |
| S29GL01GS10FHI010 |
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Hersteller: Cypress Semiconductor
NOR Flash Nor
NOR Flash Nor
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)