S29GL01GS10FHSS23 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies1G BIT, 3V, 100NS, 64-BALL FBGA, PAGE MODE SECURE FLASH MEMORY FEATURING 65 NM MIRRORBIT PROCESS TECHNOLOGY
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Technische Details S29GL01GS10FHSS23 Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 64-LBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Gbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11), Write Cycle Time - Word, Page: 60ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 64M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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S29GL01GS10FHSS23 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11) Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 64M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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| S29GL01GS10FHSS23 | Hersteller : Infineon Technologies | NOR Flash U |
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