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S29GL01GS10TFI020

S29GL01GS10TFI020 Infineon / Cypress

CYPR_S_A0011119701_1-3004839.pdf
Hersteller: Infineon / Cypress
NOR Flash 1G 3V 100ns Parallel NOR Flash
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Technische Details S29GL01GS10TFI020 Infineon / Cypress

Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP, Packaging: Tray, Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Gbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 56-TSOP, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 60ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 64M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
S29GL01GS10TFI020 S29GL01GS10TFI020 Infineon Technologies infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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S29GL01GS10TFI020 S29GL01GS10TFI020 Infineon Technologies L256S_S29GL128S_128_Mb_256_Mb_512_Mb_1_Gb_GL_S_MIRRORBIT_TM_Flash_Parallel_3_DataSheet_v21_00_EN.pdf NOR Flash 1G 3V 100ns Parallel NOR Flash
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Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 16
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