S29GL01GS11DHIV20 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 20.26 EUR |
| 10+ | 18.8 EUR |
| 25+ | 18.21 EUR |
| 50+ | 17.77 EUR |
| 100+ | 17.33 EUR |
| 260+ | 16.74 EUR |
| 520+ | 16.32 EUR |
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Technische Details S29GL01GS11DHIV20 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GS11DHIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pins, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: -, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit, Speichergröße: 1Gbit, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote S29GL01GS11DHIV20
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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S29GL01GS11DHIV20 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GS11DHIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pins tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit Speichergröße: 1Gbit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL01GS11DHIV20 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Flash Memory: 1Gb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 110ns Kind of package: in-tray Output voltage: 1.65...3.6V DC Anzahl je Verpackung: 520 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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S29GL01GS11DHIV20 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| S29GL01GS11DHIV20 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Flash Memory: 1Gb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Case: BGA64 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Access time: 110ns Kind of package: in-tray Output voltage: 1.65...3.6V DC |
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