S29GL01GS11FHIV10 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesNOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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| Anzahl | Preis |
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| 8+ | 18.92 EUR |
| 10+ | 16.73 EUR |
| 25+ | 15.75 EUR |
| 40+ | 13.38 EUR |
| 180+ | 12.1 EUR |
| 360+ | 11.23 EUR |
| 540+ | 10.3 EUR |
| 1080+ | 9.89 EUR |
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Technische Details S29GL01GS11FHIV10 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GS11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 110ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: -, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit, Speichergröße: 1Gbit, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote S29GL01GS11FHIV10 nach Preis ab 9.89 EUR bis 21.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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S29GL01GS11FHIV10 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
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S29GL01GS11FHIV10 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
auf Bestellung 897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S29GL01GS11FHIV10 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash Nor |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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S29GL01GS11FHIV10 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 64M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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S29GL01GS11FHIV10 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GS11FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, Parallel, 110ns, FBGA-64 tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit Speichergröße: 1Gbit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S29GL01GS11FHIV10 | Hersteller : Cypress Semiconductor |
NOR Flash Nor |
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S29GL01GS11FHIV10 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
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S29GL01GS11FHIV10 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
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| S29GL01GS11FHIV10 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
S29GL01GS11FHIV10 Parallel FLASH memories - integ. circ. |
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