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S29GL01GS11TFIV10

S29GL01GS11TFIV10 Infineon Technologies

Infineon_S29GL01GS_S29GL512S_S29GL256S_S29GL128S_1-3363553.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+25.72 EUR
10+23.79 EUR
25+20.31 EUR
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Technische Details S29GL01GS11TFIV10 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S29GL01GS11TFIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s), tariffCode: 85423290, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 1Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 56Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit.

Weitere Produktangebote S29GL01GS11TFIV10 nach Preis ab 19.35 EUR bis 37.26 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
S29GL01GS11TFIV10 S29GL01GS11TFIV10 Infineon Technologies Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.73 EUR
10+24.6 EUR
25+23.45 EUR
40+22.88 EUR
91+21.93 EUR
273+20.71 EUR
455+20.16 EUR
1001+19.35 EUR
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S29GL01GS11TFIV10 S29GL01GS11TFIV10 INFINEON INFN-S-A0021236471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL01GS11TFIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.26 EUR
10+32.14 EUR
25+29.37 EUR
50+29.07 EUR
100+28.43 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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S29GL01GS11TFIV10 S29GL01GS11TFIV10 Cypress / Spansion CYPR_S_A0011119701_1-2541239.pdf NOR Flash 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash
auf Bestellung 1735 Stücke:
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S29GL01GS11TFIV10 Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
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Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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S29GL01GS11TFIV10
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GS11TFIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+37.26 EUR
10+32.14 EUR
25+29.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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S29GL01GS11TFIV10 CYPR_S_A0011119701_1-2541239.pdf
S29GL01GS11TFIV10
Hersteller: Cypress / Spansion
NOR Flash 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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