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S29GL01GS12DHIV10

S29GL01GS12DHIV10 Infineon Technologies

L256S_S29GL128S_128_Mb_256_Mb_512_Mb_1_Gb_GL_S_MIRRORBIT_TM_Flash_Parallel_3_DataSheet_v21_00_EN.pdf Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash 1G 3V 120ns Parallel NOR Flash
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Technische Details S29GL01GS12DHIV10 Infineon Technologies

Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 64-LBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Gbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 60ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 120 ns, Memory Organization: 64M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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S29GL01GS12DHIV10 S29GL01GS12DHIV10 Hersteller : Cypress / Spansion FASLS02999_1-2541484.pdf NOR Flash 1G 3V 120ns Parallel NOR Flash
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S29GL01GS12DHIV10 S29GL01GS12DHIV10 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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S29GL01GS12DHIV10 S29GL01GS12DHIV10 Hersteller : Infineon Technologies b_gl-s_mirrorbit_tm_flash_parallel_3-datasheet-v20_00-en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 120ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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S29GL01GS12DHIV10 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
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