S29GL01GT10DHI010 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesNOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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Technische Details S29GL01GT10DHI010 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GT10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel, tariffCode: 85423269, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 64Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit.
Weitere Produktangebote S29GL01GT10DHI010 nach Preis ab 15.12 EUR bis 37.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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S29GL01GT10DHI010 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S29GL01GT10DHI010 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Bulk Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 128M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 905 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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S29GL01GT10DHI010 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S29GL01GT10DHI010 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash Nor |
auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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S29GL01GT10DHI010 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Packaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 128M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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S29GL01GT10DHI010 | Hersteller : Cypress Semiconductor |
NOR Flash Nor |
auf Bestellung 1045 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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S29GL01GT10DHI010 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL01GT10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 64Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit |
auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S29GL01GT10DHI010 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
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