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S29GL01GT10FHI020 Infineon Technologies

Name: S29GL01GT10FHI020
Brand: Infineon Technologies
SKU: 7988440-5
Price: 149.22 EUR
Availability: InStock

b_64_mb_gl-t_mirrorbit_eclipse_flash-datasheet-v14_00-en.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray

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Technische Details S29GL01GT10FHI020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S29GL01GT10FHI020 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel, tariffCode: 85423269, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 1Gbit, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 64Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit.

Weitere Produktangebote S29GL01GT10FHI020 nach Preis ab 15.16 EUR bis 36.74 EUR

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S29GL01GT10FHI020

Infineon Technologies

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray

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S29GL01GT10FHI020

Infineon Technologies

29GL01GT_S29GL512T_1_Gb__128_MB__512_Mb__64_MB__GL_T_MirrorBit_Eclipse_Flash_DataSheet_v14_00_EN.pdf

NOR Flash PNOR

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Infineon Technologies

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INFINEON

INFN-S-A0017271275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - S29GL01GT10FHI020 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit

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Infineon Technologies

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S29GL01GT10FHI020

Infineon Technologies

infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce

Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Verified

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Cypress Semiconductor

NOR Flash Nor

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Hersteller: Infineon Technologies
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NOR Flash PNOR

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Hersteller: Infineon Technologies
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Description: INFINEON - S29GL01GT10FHI020 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: EAR99
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Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
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Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit

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Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 128M x 8
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NOR Flash Nor

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