
S29GL01GT11TFIV20 Infineon Technologies

Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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1+ | 22.48 EUR |
10+ | 20.84 EUR |
25+ | 20.19 EUR |
91+ | 19.28 EUR |
182+ | 18.80 EUR |
273+ | 18.52 EUR |
546+ | 18.05 EUR |
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Technische Details S29GL01GT11TFIV20 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL01GT11TFIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 1GB, 128M x 8 Bit, parallel, 110ns, TSOP-56, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: TSOP, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 1Gbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: -, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit, Speichergröße: 1Gbit, Anzahl der Pins: 56Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote S29GL01GT11TFIV20 nach Preis ab 18.55 EUR bis 25.73 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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S29GL01GT11TFIV20 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 862 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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S29GL01GT11TFIV20 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: TSOP IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 1Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 128M x 8 Bit Speichergröße: 1Gbit Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 872 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S29GL01GT11TFIV20 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S29GL01GT11TFIV20 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; TSOP56; parallel Case: TSOP56 Mounting: SMD Kind of package: in-tray Type of integrated circuit: FLASH memory Interface: CFI; parallel Kind of memory: NOR Flash Access time: 110ns Kind of interface: parallel Memory: 1Gb FLASH Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.7...3.6V Anzahl je Verpackung: 91 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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S29GL01GT11TFIV20 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; TSOP56; parallel Case: TSOP56 Mounting: SMD Kind of package: in-tray Type of integrated circuit: FLASH memory Interface: CFI; parallel Kind of memory: NOR Flash Access time: 110ns Kind of interface: parallel Memory: 1Gb FLASH Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.7...3.6V |
Produkt ist nicht verfügbar |