
S29GL128P11TFIV10 Infineon Technologies

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8/8M x 16 110ns 56-Pin TSOP Tray
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Technische Details S29GL128P11TFIV10 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL128P11TFIV10 - Flash-Speicher, MirrorBit-Architektur, Parallel-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, tariffCode: 85423275, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 128Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 56Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote S29GL128P11TFIV10 nach Preis ab 5.07 EUR bis 16.13 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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S29GL128P11TFIV10 | Hersteller : Infineon Technologies |
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![]() Packaging: Tray Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-TSOP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 110ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 16M x 8 DigiKey Programmable: Verified |
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