Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > S29GL128S10DHIV10

S29GL128S10DHIV10 Infineon Technologies


Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8M x 16
Access Time: 100 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 128Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LBGA
Packaging: Tray
auf Bestellung 1205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+9.15 EUR
10+8.35 EUR
25+8.19 EUR
40+8.13 EUR
80+7.3 EUR
260+7.27 EUR
520+6.82 EUR
1040+6.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details S29GL128S10DHIV10 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S29GL128S10DHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 128 Mbit, 8M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s), tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 128Mbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote S29GL128S10DHIV10 nach Preis ab 8.03 EUR bis 9.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
S29GL128S10DHIV10 S29GL128S10DHIV10 Infineon Technologies L256S_S29GL128S_128_Mb_256_Mb_512_Mb_1_Gb_GL_S_MIRRORBIT_TM_Flash_Parallel_3_DataSheet_v21_00_EN.pdf NOR Flash 128Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.75 EUR
10+9.15 EUR
25+8.92 EUR
50+8.76 EUR
100+8.34 EUR
250+8.08 EUR
500+8.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL128S10DHIV10 S29GL128S10DHIV10 INFINEON 4092550.pdf Description: INFINEON - S29GL128S10DHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 128 Mbit, 8M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL128S10DHIV10 L256S_S29GL128S_128_Mb_256_Mb_512_Mb_1_Gb_GL_S_MIRRORBIT_TM_Flash_Parallel_3_DataSheet_v21_00_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash 128Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+9.75 EUR
10+9.15 EUR
25+8.92 EUR
50+8.76 EUR
100+8.34 EUR
250+8.08 EUR
500+8.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29GL128S10DHIV10 4092550.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL128S10DHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 128 Mbit, 8M x 16 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH