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S29GL256P11FFI010

S29GL256P11FFI010 Nexperia USA Inc.

CYPR-S-A0003087831-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: S29GL256P - 256 Mbit, 3V, Page F
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Technische Details S29GL256P11FFI010 Nexperia USA Inc.

Description: IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 64-LBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 110ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 110 ns, Memory Organization: 32M x 8, DigiKey Programmable: Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
S29GL256P11FFI010 S29GL256P11FFI010 Infineon Technologies Infineon_S29GL01GP_S29GL512P_S29GL256P_S29GL128P_1-3363530.pdf NOR Flash 256Mb 3V 110ns Parallel NOR Flash
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S29GL256P11FFI010 Spansion S29GL256P11FFI010.PDF Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2.7...3.6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 8, Тдост/Частота = 110 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: LBGA-64 Од. вим: шт
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S29GL256P11FFI010 Infineon_S29GL01GP_S29GL512P_S29GL256P_S29GL128P_1-3363530.pdf
S29GL256P11FFI010
Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash 256Mb 3V 110ns Parallel NOR Flash
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S29GL256P11FFI010 S29GL256P11FFI010.PDF
Hersteller: Spansion
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2.7...3.6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 8, Тдост/Частота = 110 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: LBGA-64 Од. вим: шт
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