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S29GL256S11TFV010

S29GL256S11TFV010 Infineon Technologies

Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 110 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Supplier Device Package: 56-TSOP
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Technische Details S29GL256S11TFV010 Infineon Technologies

Description: IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP, Memory Format: FLASH, Technology: FLASH - NOR, Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 256Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), Packaging: Tray, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 16M x 16, Access Time: 110 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 60ns, Supplier Device Package: 56-TSOP.

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