S29GL512S10FHI010 Cypress / Spansion
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 16.72 EUR |
| 10+ | 15.49 EUR |
| 25+ | 15.14 EUR |
| 50+ | 15.05 EUR |
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Technische Details S29GL512S10FHI010 Cypress / Spansion
Description: INFINEON - S29GL512S10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pins, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: -, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit, Speichergröße: 512Mbit, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote S29GL512S10FHI010 nach Preis ab 13.89 EUR bis 19.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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S29GL512S10FHI010 | Infineon Technologies |
 Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGAPackaging: Tray Package / Case: 64-LBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 64-FBGA (11x13) Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Verified |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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S29GL512S10FHI010 | Infineon Technologies |
NOR Flash 512Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash |
auf Bestellung 886 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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S29GL512S10FHI010 | INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512S10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pins tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit Speichergröße: 512Mbit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 857 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| S29GL512S10FHI010 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (11x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Verified
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (11x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Verified
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 17.74 EUR |
| 10+ | 16.47 EUR |
| 25+ | 15.97 EUR |
| 50+ | 15.58 EUR |
| 180+ | 14.89 EUR |
| S29GL512S10FHI010 |
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Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash 512Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash
NOR Flash 512Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 19.38 EUR |
| 10+ | 18 EUR |
| 25+ | 17.46 EUR |
| 50+ | 15.38 EUR |
| 100+ | 14.92 EUR |
| 250+ | 13.89 EUR |
| S29GL512S10FHI010 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512S10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pins
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S29GL512S10FHI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, FBGA, 64 Pins
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)