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S29GL512S10TFI010

S29GL512S10TFI010 Infineon Technologies

Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Verified
auf Bestellung 1163 Stücke:
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Anzahl Preis
2+15.15 EUR
10+14.08 EUR
25+13.65 EUR
40+13.43 EUR
91+13.04 EUR
273+12.53 EUR
455+12.30 EUR
1001+11.95 EUR
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Technische Details S29GL512S10TFI010 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S29GL512S10TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pin(s), tariffCode: 85423261, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: -V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 56Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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S29GL512S10TFI010 S29GL512S10TFI010 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_S29GL01GS_S29GL512S_S29GL256S_S29GL128S_1-3167053.pdf NOR Flash 512Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash
auf Bestellung 666 Stücke:
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1+18.36 EUR
10+17.00 EUR
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S29GL512S10TFI010 S29GL512S10TFI010 Hersteller : INFINEON (CYPRESS) Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 512Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSOP56
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
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S29GL512S10TFI010 S29GL512S10TFI010 Hersteller : INFINEON (CYPRESS) Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 512Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSOP56
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
auf Bestellung 1 Stücke:
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S29GL512S10TFI010 S29GL512S10TFI010 Hersteller : INFINEON Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Description: INFINEON - S29GL512S10TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: -V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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S29GL512S10TFI010 S29GL512S10TFI010 Hersteller : Infineon Technologies b_gl-s_mirrorbit_tm_flash_parallel_3-datasheet-v22_00-en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 100ns 56-Pin TSOP Tray
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S29GL512S10TFI010 S29GL512S10TFI010 Hersteller : Cypress / Spansion 001_98285_1_GBIT_128_MBYTE_512_MBIT_64_MBYTE_256_M-1102589.pdf NOR Flash 512Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash
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