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S29GL512S11DHB010 Infineon Technologies

infineont1700n16h75vtdatasheetv0302en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray Automotive AEC-Q100
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Technische Details S29GL512S11DHB010 Infineon Technologies

Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA, Qualification: AEC-Q100, Grade: Automotive, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 32M x 16, Access Time: 110 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 60ns, Part Status: Active, Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9), Memory Format: FLASH, Technology: FLASH - NOR, Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 512Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 64-LBGA, Packaging: Tray.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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S29GL512S11DHB010 Cypress Semiconductor _mbit_32_mbyte_128_mbit_16_mbyte_3.0_v_gl-s_flash_memory.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns Automotive 64-Pin Fortified BGA Tray
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S29GL512S11DHB010 Infineon Technologies b_gl-s_mirrorbit_tm_flash_parallel_3-datasheet-v21_00-en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns Automotive AEC-Q100 64-Pin Fortified BGA Tray
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NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns Automotive AEC-Q100 64-Pin Fortified BGA Tray
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