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S29GL512S11DHI023

S29GL512S11DHI023 Infineon Technologies

Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Memory Organization: 32M x 16
Access Time: 110 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details S29GL512S11DHI023 Infineon Technologies

Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA, Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 512Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 64-LBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Memory Organization: 32M x 16, Access Time: 110 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 60ns, Part Status: Active, Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9), Memory Format: FLASH, Technology: FLASH - NOR, DigiKey Programmable: Not Verified.

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S29GL512S11DHI023 Hersteller : Cypress Semiconductor 001-98285_1_GBIT_128_MBYTE_512_MBIT_64_MBYTE_256_M-1102589.pdf NOR Flash Nor
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