S29GL512S11TFIV10 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 41+ | 12.37 EUR |
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Technische Details S29GL512S11TFIV10 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL512S11TFIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s), tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 56Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote S29GL512S11TFIV10 nach Preis ab 13.97 EUR bis 16.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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S29GL512S11TFIV10 | Hersteller : Cypress / Spansion |
NOR Flash 512Mb 3V 110ns Parallel NOR Flash |
auf Bestellung 255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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S29GL512S11TFIV10 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP Packaging: Tray Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 56-TSOP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 60ns Memory Interface: Parallel Access Time: 110 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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S29GL512S11TFIV10 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512S11TFIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s) tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| S29GL512S11TFIV10 | Hersteller : Cypress |
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auf Bestellung 2730 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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S29GL512S11TFIV10 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 56-Pin TSOP Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| S29GL512S11TFIV10 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
S29GL512S11TFIV10 Parallel FLASH memories - integ. circ. |
Produkt ist nicht verfügbar |