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S29GL512S11TFIV20

S29GL512S11TFIV20 Infineon Technologies

b_gl-s_mirrorbit_tm_flash_parallel_3-datasheet-v20_00-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 56-Pin TSOP Tray
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Technische Details S29GL512S11TFIV20 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S29GL512S11TFIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pins, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: TSOP, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 512Mbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit, Speichergröße: 512Mbit, Anzahl der Pins: 56Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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S29GL512S11TFIV20 S29GL512S11TFIV20 Hersteller : Infineon Technologies infineont1700n16h75vtdatasheetv0302en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 56-Pin TSOP Tray
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S29GL512S11TFIV20 S29GL512S11TFIV20 Hersteller : Infineon Technologies infineont1700n16h75vtdatasheetv0302en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 56-Pin TSOP Tray
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S29GL512S11TFIV20 S29GL512S11TFIV20 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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S29GL512S11TFIV20 S29GL512S11TFIV20 Hersteller : Infineon Technologies b_gl-s_mirrorbit_tm_flash_parallel_3-datasheet-v20_00-en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 56-Pin TSOP Tray
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10+15.61 EUR
50+14.05 EUR
100+11.96 EUR
200+10.72 EUR
500+10.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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S29GL512S11TFIV20 S29GL512S11TFIV20 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0011119701-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S29GL512S11TFIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 512MB, 64M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 56 Pins
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Speichergröße: 512Mbit
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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S29GL512S11TFIV20 S29GL512S11TFIV20 Hersteller : Infineon Technologies infineont1700n16h75vtdatasheetv0302en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 56-Pin TSOP Tray
Produkt ist nicht verfügbar
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S29GL512S11TFIV20 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; TSOP56; in-tray
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 512Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSOP56
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Kind of package: in-tray
Anzahl je Verpackung: 910 Stücke
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S29GL512S11TFIV20 S29GL512S11TFIV20 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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S29GL512S11TFIV20 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; TSOP56; in-tray
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 512Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSOP56
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 110ns
Kind of package: in-tray
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